Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
    Samsung

    Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

    129,81 €
    Impuestos incluidos

    Samsung 990 EVO, 1 TB, M.2, 5000 MB/s

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    Velocidad para ir siempre por delante
    990 EVO ofrece unas velocidades de lectura y escritura mejoradas de hasta 5.000/4.200 MB/s y velocidades aleatorias de lectura y escritura de hasta 700 K/800 K IOPS, llegando a ser hasta un 43 % más rápido que 970 EVO Plus 2TB. Deja de esperar a que carguen tus juegos y accede a archivos grandes al instante.

    Eficiencia energética mejorada
    Enciéndelo y hazlo todo. Con una notable mejora de la eficiencia energética del 70 % en comparación con el modelo anterior, puedes utilizarlo por más tiempo sin preocuparte por la batería. Además, es compatible con Modern Standby, que te permite conectarte a internet y seguir recibiendo notificaciones incluso en modo de bajo consumo.

    Solución inteligente contra el calor
    El disipador de calor de 990 EVO ayuda a controlar la temperatura del chip NAND. El innovador algoritmo de control de temperatura de Samsung trabaja junto a Dynamic Thermal Guard para asegurar un rendimiento consistente y fiable. Mantén tu productividad al rojo vivo, no tus dispositivos.

    Versátil para hacerlo todo
    Haz todas tus tareas con un único SSD. Aumenta tu rendimiento y cumple con todos tus objetivos de juego, trabajo y creatividad. Es compatible con las últimas interfaces PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2, por lo que te ofrece flexibilidad para todo lo que puedes (y podrás) hacer. Mantente a la cabeza con este dispositivo todoterreno.

    Software Samsung Magician
    Tu SSD funciona como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento SSD. Es una forma fácil y segura de transferir todos tus datos para conseguir una mejora de SSD Samsung. Protege tu información valiosa, controla la salud del dispositivo y obtén las últimas actualizaciones de firmware.

    La innovación cobra vida
    Desde hace décadas, las memorias flash NAND de Samsung han incorporado tecnologías rompedoras capaces de cambiar tu día a día. Esta tecnología flash NAND también está presente en nuestros dispositivos SSDs para adentrarlos en la próxima era de la innovación.

    Rendimiento
    Consigue una mayor velocidad de lectura secuencial de hasta 5.000 MB/s, un 43 % más rápida que la del modelo anterior.

    Eficiencia energética
    Eficiencia energética mejorada en un 70 % en comparación con el modelo anterior, compatibilidad con Modern Standby y batería más duradera.

    Versatilidad
    Aumenta tu rendimiento gaming, profesional y creativo cada día con la compatibilidad PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2.

    Versátil para hacerlo todo
    Haz todas tus tareas con un único SSD. Aumenta tu rendimiento y cumple con todos tus objetivos de juego, trabajo y creatividad. Es compatible con las últimas interfaces PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2, por lo que te ofrece flexibilidad para todo lo que puedes (y podrás) hacer. Mantente a la cabeza con este dispositivo todoterreno.

    Versátil para hacerlo todo
    Haz todas tus tareas con un único SSD. Aumenta tu rendimiento y cumple con todos tus objetivos de juego, trabajo y creatividad. Es compatible con las últimas interfaces PCIe® 4.0 x4 y PCIe® 5.0 x2, por lo que te ofrece flexibilidad para todo lo que puedes (y podrás) hacer. Mantente a la cabeza con este dispositivo todoterreno.

    Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal
    Características
    Factor de forma de disco SSDM.2
    SDD, capacidad1 TB
    InterfazPCI Express 4.0
    Tipo de memoriaV-NAND TLC
    NVMeSi
    Versión NVMe2.0
    Componente paraUniversal
    Encriptación de hardwareSi
    Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
    Velocidad de lectura5000 MB/s
    Velocidad de escritura4200 MB/s
    Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
    Revisión PCI Express CEM4.0
    Soporte TRIMSi
    Tiempo medio entre fallos1500000 h
    calificación TBW600
    Control de energía
    Voltaje de operación3,3 V
    Consumo de energía (lectura)4,9 W
    Consumo de energía (escritura)4,5 W
    Consumo energético (en suspensión)0,005 W
    Consumo de energía (espera)0,06 W
    Condiciones ambientales
    Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
    Intervalo de temperatura de almacenaje-40 - 85 °C
    Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
    Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
    Vibración no operativa20 G
    Golpe (fuera de operación)1500 G
    Peso y dimensiones
    Ancho80,2 mm
    Profundidad22,1 mm
    Altura2,38 mm
    Peso9 g
    Empaquetado
    Tipo de embalajeCaja

    Detalle de productos

    Samsung
    MZ-V9E1T0BW

    Ficha de datos

    Interface
    PCI Express 4.0
    composant pour
    Universal
    Capacité du Solid State Drive (SSD)
    1 TB
    Le chiffrement matériel
    Si
    Facteur de forme SSD
    M.2
    Type de mémoire
    V-NAND TLC
    NVMe
    Oui