• Samsung 990 EVO M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
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    Samsung 990 EVO M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
    Samsung

    Samsung 990 EVO M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

    129,81 €
    TTC

    Samsung 990 EVO, 1 To, M.2, 5000 Mo/s

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    Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
    Caractéristiques
    Facteur de forme SSDM.2
    Capacité du Solid State Drive (SSD)1 To
    InterfacePCI Express 4.0
    Type de mémoireV-NAND TLC
    NVMeOui
    Version NVMe2.0
    composant pourUniversel
    Le chiffrement matérielOui
    Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
    Vitesse de lecture5000 Mo/s
    Vitesse d'écriture4200 Mo/s
    Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
    Révision CEM PCI Express4.0
    Support TRIMOui
    Temps moyen entre pannes1500000 h
    Classe TBW600
    Puissance
    Tension de fonctionnement3,3 V
    Consommation électrique (Lecture)4,9 W
    Consommation électrique (Ecriture)4,5 W
    Consommation d 'énergie (en mode veille)0,005 W
    Consommation électrique (idle)0,06 W
    Conditions environnementales
    Température d'opération0 - 70 °C
    Température hors fonctionnement-40 - 85 °C
    Humidité relative de fonctionnement (H-H)5 - 95%
    Taux d'humidité relative (stockage)5 - 95%
    Vibrations hors fonctionnement20 G
    Choc hors fonctionnement1500 G
    Poids et dimensions
    Largeur80,2 mm
    Profondeur22,1 mm
    Hauteur2,38 mm
    Poids9 g
    Informations sur l'emballage
    Type d'emballageBoîte

    Détails du produit

    Samsung
    MZ-V9E1T0BW

    Fiche technique

    Interface
    PCI Express 4.0
    composant pour
    Universel
    Capacité du Solid State Drive (SSD)
    1 To
    Le chiffrement matériel
    Oui
    Facteur de forme SSD
    M.2
    Type de mémoire
    V-NAND TLC
    NVMe
    Oui

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