Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
    Samsung

    Samsung 990 EVO M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

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    Samsung 990 EVO, 1 TB, M.2, 5000 MB/s

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    Samsung 990 EVO. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 5000 MB/s, Velocità di scrittura: 4200 MB/s, Componente per: Universale
    Caratteristiche
    Dimensione SSDM.2
    Capacità SSD1 TB
    InterfacciaPCI Express 4.0
    Tipo memoriaV-NAND TLC
    NVMe
    Versione di NVMe2.0
    Componente perUniversale
    criptaggio hardware
    Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES
    Velocità di lettura5000 MB/s
    Velocità di scrittura4200 MB/s
    Dimensioni dell'unità SSD M.22280 (22 x 80 mm)
    Revisione PCI Express CEM4.0
    Supporto TRIM
    Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 h
    Classificazione per TBW600
    Gestione energetica
    Tensione di esercizio3,3 V
    Consumo di energia (in lettura)4,9 W
    Consumo di energia (in scrittura)4,5 W
    Consumo energetico (in sospensione)0,005 W
    Consumo energetico (inattivo)0,06 W
    Condizioni ambientali
    Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C
    Intervallo di temperatura-40 - 85 °C
    Range di umidità di funzionamento5 - 95%
    Umidità5 - 95%
    Vibrazione di non-funzionamento20 G
    Shock di non-funzionamento1500 G
    Dimensioni e peso
    Larghezza80,2 mm
    Profondità22,1 mm
    Altezza2,38 mm
    Peso9 g
    Dati su imballaggio
    Tipo di imballoScatola

    Dettagli del prodotto

    Samsung
    MZ-V9E1T0BW

    Scheda tecnica

    Interface
    PCI Express 4.0
    composant pour
    Universale
    Capacité du Solid State Drive (SSD)
    1 TB
    Le chiffrement matériel
    Facteur de forme SSD
    M.2
    Type de mémoire
    V-NAND TLC
    NVMe
    Oui